400-677-0098
碳化硅CVI/CVD沉積爐
碳化硅CVI/CVD沉積爐
產(chǎn)品描述:
碳化硅CVI/CVD沉積爐主要用于碳纖維、碳化硅纖維及其編織預(yù)制件等的碳化硅界面層制備。
應(yīng)用范圍:
碳纖維、碳化硅纖維及其編織預(yù)制件等

碳化硅CVI/CVD沉積爐技術(shù)特征

電阻爐可采用多溫區(qū)獨(dú)立控溫,溫度均勻性好;

采用智能壓力調(diào)控,壓力波動(dòng)小;

全封閉沉積室,密封效果好,抗污染能力強(qiáng); 

多通道工藝氣路,流場(chǎng)均勻,無沉積死角,沉積效果好;

多級(jí)高效尾氣處理系統(tǒng),環(huán)境友好,易清理;

碳化硅CVI/CVD沉積爐產(chǎn)品規(guī)格

參數(shù)\型號(hào)CVI-0305-SiCCVI-0608-SiCCVI-0612-SiCCVI-0812-SiCCVI-0817-SiCCVI-1120-SiCCVI-1320-SiCCVI-1520-SiC
工作區(qū)尺寸 φ×H(mm)300×500600×800600×1200800×1200800×17001100×20001300×20001500×2000
最高溫度(℃)15001500150015001500150015001500
溫度均勻性(℃)±5±7.5/±10±7.5/±10±7.5/±10±7.5/±10±10/±15±10/±15±15/±20
極限真空度(Pa)1-1001-1001-1001-1001-1001-1001-1001-100
壓升率(Pa/h)0.670.670.670.670.670.670.670.67
加熱方式電阻電阻電阻電阻電阻電阻電阻電阻

以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進(jìn)行調(diào)整,不作為驗(yàn)收依據(jù),具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準(zhǔn)。

碳化硅CVI/CVD沉積爐配置選擇

結(jié)構(gòu)形式:立式-上出料/下出料

爐門鎖緊方式:手動(dòng)/自動(dòng)

爐殼材質(zhì):內(nèi)層不銹鋼/全不銹鋼

保溫材質(zhì):碳?xì)?石墨氈/碳纖維固化氈

加熱器、馬弗材質(zhì):石墨/CFC

熱電偶:C/S分度號(hào)

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陶瓷基復(fù)合材料裝備

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