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真空晶體生長爐
真空晶體生長爐
產(chǎn)品描述：
真空晶體生長爐主要用于碳化硅、硒化鋅等晶體的生長
應用范圍：
大尺寸單晶碳化硅生長（PVT法）、硒化鋅晶體氣相生長

真空晶體生長爐技術特征

采用先進的控制技術，能精密控制爐內壓力，爐膛內壓力波動小；

采用動密封技術，能精密控制坩堝移動與旋轉；

采用特殊結構設計，能有效控制籽晶位置；

采用特殊的爐膽結構和加熱器布置，經(jīng)溫場模擬計算，能有效控制爐內溫場分布；

具備柔性抽真空、爐內分壓控制等功能；

采用先進的隔熱結構和材料，爐膽隔熱性能好、蓄熱少，

采用特殊的高溫紅外測量技術，控溫準確，誤差小。

真空晶體生長爐產(chǎn)品規(guī)格

型號/參數(shù)VCG-4VCG-6VCG-8
產(chǎn)品尺寸
4英寸6英寸8英寸
最高溫度（℃）2400-26002400-26002400-2600
溫度均勻性（℃）±5±5±5
極限真空度（Pa）10-5-10-310-5-10-310-5-10-3
壓升率（pa/h）0.670.670.67
以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進行調整，不作為驗收依據(jù)，具體以技術方案和協(xié)議為準。

真空晶體生長爐配置選擇

結構形式：上出料/下出料

爐門鎖緊方式：手動/自動

爐殼材質：內層不銹鋼/全碳鋼/全不銹鋼

保溫材質：高純碳氈/石墨氈/固化氈

加熱器：等靜壓石墨/金屬

熱電偶：C/K/N/S分度號

紅外儀：單比色/雙比色

適于工藝氣氛：N2/Ar/H2

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